复旦大学微电子学院周鹏教授团队近日在国际顶级期刊《自然》发表重大研究成果，成功研制出名为"破晓"的皮秒级闪存器件。这项突破性技术实现了400皮秒的超快擦写速度，同时具备断电数据保存能力，创造了半导体存储领域的新纪录。

表面贴装展了解到，传统存储技术长期面临速度与数据保存的两难选择。动态随机存取存储器(DRAM)虽然速度快，但断电后数据立即丢失；闪存(Flash)虽能保存数据，但速度难以满足现代计算需求。特别是在人工智能和大数据时代，这种矛盾更加突出。

研究团队经过八年攻关，从底层物理机制入手，创新性地提出了"超注入"电荷存储理论。不同于传统闪存5伏电压的存储极限，新技术实现了"电压越高、存储越快"的突破性进展，将非易失性存储速度推向理论极限。这一发现从根本上改变了电荷存储的技术路径。

"破晓"器件的性能指标令人惊叹：每秒可执行25亿次操作，比现有U盘快数百万倍。更关键的是，它完美结合了DRAM的高速特性和闪存的数据保存能力，为下一代计算存储架构提供了全新解决方案。

表面贴装展了解到，目前该技术已进入小规模量产试验阶段。专家表示，这项原创性突破有望改变全球存储技术格局，为中国在半导体存储领域实现技术自主可控奠定基础。团队正加速推进产业化进程，以应对人工智能时代对超高速数据存储的迫切需求。

文章来源：科技日报