5月7日消息，中国科学技术大学姚宏斌、樊逢佳、林岳、胡伟等组成的科研团队取得重要突破。他们借助创新检测手段，破解纯红光钙钛矿发光二极管（LED）性能提升难题，成功研制出高性能纯红光钙钛矿LED，相关成果于北京时间5月7日在国际权威学术期刊《自然》在线发表。

半导体封装技术展了解到，纯红光钙钛矿LED在亮度提升过程中，效率急剧下降一直是困扰学界的难题。为攻克这一障碍，该团队研发出电激发瞬态吸收光谱技术（EETA），这项技术如同给LED 做 “内部透视”，通过对LED内部电子与空穴的精准探测，研究人员发现，空穴向电子传输层的泄漏，正是制约纯红光钙钛矿LED性能提升的关键因素。

针对这一问题，团队提出全新的材料结构设计方案 —— 三维钙钛矿异质结。研究人员创新性地在钙钛矿晶格内部嵌入有机分子，改变发光层晶体结构，构建起一道宽带隙能垒，就像一座阻挡空穴离开发光层的 “坚固水坝”。这种设计不仅实现了载流子的有效限制，还维持了高迁移率，为性能提升奠定基础。

半导体封装技术展了解到，基于三维钙钛矿异质结研发的纯红光钙钛矿LED，展现出国际领先的优异性能。其峰值外量子效率（EQE）高达24.2%，可与顶尖的有机发光二极管（OLED）相媲美；极限亮度达到24600坎德拉/平方米，较此前报道的同类产品提升了3倍；更为突出的是，该器件效率滚降极低，即便在亮度达到22670坎德拉/平方米时，外量子效率仍保持在10%以上。

文章来源：科技日报