电子展了解到，在全球汽车产业向电气化转型的背景下，碳化硅（SiC）功率器件正成为提升电动汽车性能的重要技术。安森美EliteSiC MOSFET系列产品通过持续的技术迭代，为电动汽车电力系统提供了高效的解决方案。该系列产品从早期的M1平面方形单元设计，演进至采用薄晶圆技术的M3S平面条带单元结构，在降低导通电阻的同时提升了开关性能。相比传统硅基器件，SiC MOSFET在高压应用中展现出明显的能效优势，其快速的开关特性和较低的热损耗，使得主驱逆变器和车载充电器能够实现更紧凑的设计。

在电动汽车关键电力电子系统中，SiC技术正在逐步替代传统的硅基器件。虽然IGBT在中低端车型中仍保持一定的成本优势，但SiC器件凭借更高的开关频率和更低的能量损耗，正在高端车型中建立技术高地。据预测，到2035年SiC MOSFET有望成为电动汽车逆变器市场的主流选择，相关电力电子器件市场规模将达到360亿美元。这一技术转变不仅提升了系统能效，还通过减轻整车重量和优化空间布局，为延长续航里程创造了条件。

栅极驱动器作为SiC MOSFET的关键配套器件，其性能直接影响整个电力系统的效率。专业设计的隔离式栅极驱动器能够提供精确的栅极电压控制和快速的开关响应，有效降低系统损耗。安森美推出的NCV51752单通道栅极驱动器具有36纳秒的传播延迟和200V/ns的dV/dt抗扰能力，其集成的负偏压控制功能无需额外电源即可防止米勒效应引发的误触发，在提升系统可靠性的同时优化了整体成本结构。

电子展关注到，随着800V高压平台在电动汽车中的推广应用，SiC电力电子系统的重要性将进一步凸显。技术演进不仅体现在器件性能的提升，还包括整个电力电子架构的优化。从主驱逆变器到车载充电系统，再到高低压转换单元，SiC解决方案正在重塑电动汽车的能源效率边界。这种技术转型不仅响应了欧盟2035年零排放目标的政策要求，也为消费者带来了更长的续航里程和更快的充电体验，推动电动汽车在性能和经济性方面达到新的平衡点。

来源：安森美

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