电子展关注到，国内氮化镓功率半导体龙头企业英诺赛科近日宣布，其8英寸氮化镓晶圆月产能将在年底前由当前的13000片提升至20000片。这一扩产计划是公司中长期发展战略的重要环节，未来五年内产能有望进一步扩大至70000片/月，达到现有水平的五倍以上。

作为采用IDM全产业链模式的三代半导体企业，英诺赛科在8英寸硅基氮化镓晶圆制造工艺方面已实现成熟化量产。据悉，该公司晶圆良率稳定保持在95%以上，显著优于行业平均水平。产能的持续提升不仅体现了企业在技术创新方面的投入，也反映出市场对氮化镓功率器件日益增长的需求。

在晶圆尺寸选择上，英诺赛科采取了稳健的发展策略。虽然12英寸晶圆理论上能带来2.3倍的芯片产出提升，但由于目前全球范围内尚未出现成熟的12英寸氮化镓外延解决方案，公司决定先夯实8英寸产线的工程化成熟度，预计到2030年才会推进12英寸产线的商业化进程。这种循序渐进的技术路线，有助于确保产品质量和成本优势。

产品布局方面，英诺赛科已形成完整的氮化镓功率半导体产品矩阵，涵盖分立器件、智能氮化镓IC、驱动控制芯片和功率模块等多个领域。通过持续的产能扩张和产品迭代，公司产品在性能上较传统硅基功率半导体可提升达40%，同时为客户节省约30%的成本。这些优势使得英诺赛科的产品在消费电子、数据中心、工业控制、汽车电子及可再生能源等多个应用领域获得广泛采用。

作为一家实现了8英寸硅基氮化镓晶圆大规模量产的IDM企业，英诺赛科的发展历程颇具代表性。公司成立于2015年，总部位于珠海，在苏州设有生产基地，并于2024年底成功在香港联交所主板上市。其全产业链运营模式确保了从研发设计到生产制造各环节的协同优化，为产品质量和交付能力提供了有力保障。

电子展了解到，随着5G通信、新能源汽车、数据中心等新兴产业的快速发展，高效率、高功率密度的氮化镓功率器件市场需求将持续增长。英诺赛科的产能扩张计划恰逢其时，不仅能够满足日益增长的市场需求，也将进一步巩固其在全球氮化镓功率半导体领域的重要地位。未来，随着产能的逐步释放和产品线的持续丰富，该公司有望在三代半导体赛道上实现更大突破。

来源：电子工程专辑

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